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 Vertically stacked multilayer atomic-layer-deposited sub-1-nm In2O3 field-effect transistors with back-end-of-line compatibility 具有后端兼容性的垂直堆叠多层原子层沉积亚1-nm In2O3场效应晶体管
相关领域
材料科学
光电子学
原子层沉积
退火（玻璃）
制作
场效应晶体管
晶体管
生产线后端
半导体
图层（电子）
纳米技术
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电气工程
电压
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医学
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期刊：Applied Physics Letters 作者：Zhuocheng Zhang; Zehao Lin; Mengwei Si; Di Zhang; Hongyi Dou; et al 出版日期：2022-05-16 |
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