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 Bias and Temperature Stress Effects in IGZO TFTs and the Application of Step-Stress Testing to Increase Reliability Test Throughput IGZO薄膜晶体管中的偏压和温度应力效应以及阶梯应力测试在提高可靠性测试吞吐量中的应用
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期刊：IEEE Transactions on Electron Devices 作者：Navid Mohammadian; Dinesh Kumar; Lucas Fugikawa-Santos; Gabriel Leonardo Nogueira; Shouzhou Zhang; et al 出版日期：2024-01-01 |
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虚幻的天问
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