Steep subthreshold swing tunnel FETs: GaN/InN/GaN and transition metal dichalcogenide channels

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标题	Steep subthreshold swing tunnel FETs: GaN/InN/GaN and transition metal dichalcogenide channels 陡峭亚阈值摆动隧道场效应晶体管：GaN/InN/GaN和过渡金属二硫族化物沟道相关领域异质结阈下摆动阈下传导摇摆兴奋剂材料科学光电子学隧道枢纽晶体管阈下斜率电气工程场效应晶体管凝聚态物理量子隧道物理电压工程类声学
网址	https://doi.org/10.1109/iedm.2015.7409835
DOI	10.1109/iedm.2015.7409835 doi
其它	期刊：2021 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM) 作者：Alan Seabaugh; Sara Fathipour; Wenjun Li; Hao Lü; Jun Hong Park; et al 出版日期：2015-12-01
求助人	MoPunk 在 2025-08-05 19:34:50 发布自广西，悬赏 10 积分
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