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Balanced Performance Improvement and Low-Frequency Noise of TMA-Passivated GaSb MOS Capacitors Using Bilayered HfO2/Al2O3 Gate Dielectrics 相关领域
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期刊:IEEE Transactions on Electron Devices 作者:Shanshan Jiang; Gang He; Jinyu Lü; Lesheng Qiao 出版日期:2023-08-28 |
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