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标题
Temperature-Dependent ESD Breakdown in AlGaN/GaN HEMTs With Carbon-Doped Buffer
掺碳缓冲液AlGaN/GaN HEMT中的温度相关ESD击穿
相关领域
材料科学 缓冲器（光纤） 光电子学 兴奋剂 宽禁带半导体 氮化镓 电气工程 复合材料 图层（电子） 工程类
网址
https://doi.org/10.1109/ted.2024.3462375
DOI
10.1109/ted.2024.3462375 doi
其它 期刊：IEEE Transactions on Electron Devices
作者：Mohammad Ateeb Munshi; Mehak Ashraf Mir; Vipin Joshi; Rajarshi Roy Chaudhuri; Rasik Rashid Malik; et al
出版日期：2024-09-27
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温暖的弦 在 2025-12-06 14:18:53 发布自辽宁，悬赏 10 积分
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