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 High-temperature characteristics of GaN/InGaN multiple-quantum-well UV photodetectors fabricated on sapphire substrate: Analysis of photovoltaic and carrier transit time properties 蓝宝石衬底上GaN/InGaN多量子阱紫外光探测器的高温特性：光伏和载流子渡越时间特性分析
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期刊：Journal of Vacuum Science & Technology B Nanotechnology and Microelectronics Materials Processing Measurement and Phenomena 作者：Pradip Dalapati; Takashi Egawa; Makoto Miyoshi 出版日期：2022-11-18 |
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