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 Pulsed N2 plasma surface treatment for AlGaN/GaN HEMTs prior to PECVD SiNx passivation to reduce plasma damage PECVD SiNx钝化前AlGaN/GaN HEMT的脉冲N2等离子体表面处理以减少等离子体损伤
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期刊：Applied Physics Letters 作者：Kaiyu Wang; Wei Ke; Ruizhe Zhang; Sheng Zhang; Jiaqi Guo; et al 出版日期：2024-11-18 |
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