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 Exploring the impact of domain numbers on negative capacitance effects in ferroelectric Device-Circuit Co-Design 探索铁电器件-电路协同设计中畴数对负电容效应的影响
相关领域
负阻抗变换器
铁电性
材料科学
光电子学
CMOS芯片
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晶体管
逆变器
场效应晶体管
消散
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电气工程
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电极
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期刊：Solid-State Electronics 作者：Khoirom Johnson Singh; Lomash Chandra Acharya; Anand Bulusu; Sudeb Dasgupta 出版日期：2023-10-09 |
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