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 Low Gate Leakage Current and Interface State Density of Atomic Layer Deposition Al2O3 SiC MOS Device with NH3 Plasma Treatment 相关领域
材料科学
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期刊：Science of Advanced Materials 作者：Seung Chan Heo; Woo Suk Jung; Donghwan Lim; Gwangwe Yoo; Jin-Hong Park; Changhwan Choi 出版日期：2017-01-12 |
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