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  Low operating voltage memtransistors based on ion bombarded p‐type GeSe nanosheets for artificial synapse applications 基于离子轰击p型GeSe纳米片的低工作电压Memtransistor用于人工突触应用
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期刊：InfoMat 作者：Jing Wang; Dong He; Rui Chen; Hang Xu; Hongbo Wang; et al 出版日期：2023-09-29 |
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