标题 |
Realization of tunable-performance in atomic layer deposited Hf-doped In2O3 thin film transistor via oxygen vacancy modulation
氧空位调制在原子层沉积Hf掺杂In2O3薄膜晶体管中实现可调谐性能
相关领域
材料科学
退火(玻璃)
光电子学
薄膜晶体管
兴奋剂
带隙
薄膜
晶体管
半导体
电子迁移率
纳米技术
图层(电子)
复合材料
电气工程
工程类
电压
|
网址 | |
DOI | |
其它 |
期刊:The Journal of Chemical Physics 作者:Jiyuan Zhu; Huolin Shen; Bojia Chen; Shice Wei; Yu Zhang; et al 出版日期:2024-01-25 |
求助人 | |
下载 | 该求助完结已超 24 小时,文件已从服务器自动删除,无法下载。 |
温馨提示:该文献已被科研通 学术中心 收录,前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库,收集文献的基本信息(如标题、摘要、期刊、作者、被引量等),不提供下载功能。如需下载文献全文,请通过文献求助获取。
|