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Highly resistive GaN layers formed by ion implantation of Zn along the c axis
沿c轴离子注入Zn形成高阻GaN层
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期刊:Journal of applied physics 作者:Toshiyuki Oishi; Naruhisa Miura; Muneyoshi Suita; Takuma Nanjo; Yuji Abe; et al 出版日期:2003-08-01 |
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