Oxygen‐Scavenging Effects of Added Ti Layer in the TiN Gate of Metal‐Ferroelectric‐Insulator‐Semiconductor Capacitor with Al‐Doped HfO 2 Ferroelectric Film

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标题	Oxygen‐Scavenging Effects of Added Ti Layer in the TiN Gate of Metal‐Ferroelectric‐Insulator‐Semiconductor Capacitor with Al‐Doped HfO 2 Ferroelectric Film 掺铝HfO 2铁电薄膜金属——铁电——绝缘体——半导体电容器TiN栅中添加Ti层的除氧效应相关领域材料科学铁电性兴奋剂锡电容器光电子学半导体形成气体退火（玻璃）电容电介质复合材料电极电气工程冶金电压化学物理化学工程类
网址	https://doi.org/10.1002/aelm.202200310
DOI	10.1002/aelm.202200310 doi
其它	期刊：Advanced electronic materials 作者：Yong Bin Lee; Beom Yong Kim; Hyeon Woo Park; Suk Hyun Lee; Minsik Oh; et al 出版日期：2022-06-23
求助人	xxyyrr 在 2024-03-24 18:27:19 发布自吉林，悬赏 10 积分
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