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Built-in electric fields and valence band offsets in InN/GaN(0001) superlattices: First-principles investigations
InN/GaN（0001）超晶格的内建电场和价带偏移：第一性原理研究
相关领域
超晶格 电场 凝聚态物理 材料科学 纤锌矿晶体结构 压电 异质结 带隙 宽禁带半导体 价（化学） 带偏移量 价带 光电子学 化学 物理 复合材料 有机化学 量子力学 锌 冶金
网址
https://doi.org/10.1063/1.3573499
DOI
10.1063/1.3573499 doi
其它 期刊：Journal of Applied Physics
作者：Chun‐Chien Shieh; Xiangyuan Cui; B. Delley; Catherine Stampfl
出版日期：2011-04-15
求助人
StarRiver 在 2025-11-26 19:03:10 发布自江苏，悬赏 10 积分
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