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 The influence of interface effects on the switching behavior in ultra-scaled MRAM cells 相关领域
磁阻随机存取存储器
材料科学
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期刊：Solid-State Electronics 作者：Mario Bendra; Simone Fiorentini; Wolfgang Goes; S. Selberherr; Viktor Sverdlov 出版日期：2023-01-09 |
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