Mechanism of Microtrench Generation in Etching of Wiring Trench on SiO2 Layer: Proposal of Simulation Model using High-Pressure Etching Gas

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标题	Mechanism of Microtrench Generation in Etching of Wiring Trench on SiO2 Layer: Proposal of Simulation Model using High-Pressure Etching Gas
网址	https://doi.org/10.1143/JJAP.46.3589
DOI	10.1143/JJAP.46.3589 doi
其它	期刊：Japanese Journal of Applied Physics 作者：Shoji Seta; Shinji Shimizu 出版日期：2007
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