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标题
Vertical GaN p–n diode with deeply etched mesas by contactless photo-electrochemical etching
非接触光电化学刻蚀深刻台面垂直GaN p-n二极管
网址
DOI
10.35848/1882-0786/adbc43 doi
其它 期刊:Applied Physics Express
作者:Hiroki Toyoda; Woong Kwon; Hirotaka Watanabe; Ryoko Tsukamoto; Yuta Furusawa; et al
出版日期:2025
求助人
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