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 Electrical properties and energy band alignments of p-Si/n-Ga2O3 and p+-Si/n-Ga2O3 heterostructures fabricated by surface-activated bonding 表面活化键合制备p-Si/n-Ga2O3和p+-Si/n-Ga2O3异质结构的电学性质和能带排列
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期刊：Journal of Applied Physics 作者：Zhenwei Wang; Takahiro Kitada; Daiki Takatsuki; Jianbo Liang; Naoteru Shigekawa; et al 出版日期：2023-05-15 |
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