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 Enhanced drain current and cut off frequency in AlGaN/GaN HEMT with BGaN back barrier BGaN背势垒增强AlGaN/GaN HEMT的漏极电流和截止频率
相关领域
高电子迁移率晶体管
光电子学
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期刊：Materials Science And Engineering: B 作者：K. Husna Hamza; D. Nirmal; A.S. Augustine Fletcher; J. Ajayan; Ramkumar Natarajan 出版日期：2022-10-01 |
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