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A compact circuit-level model for single-event burnout in SiC power MOSFET devices SiC功率MOSFET器件单事件烧毁的紧凑电路级模型
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期刊:Japanese Journal of Applied Physics 作者:Pei Kang Shen; Ying Wang; Xing-Ji Li; Jianqun Yang; Fei Cao 出版日期:2022-11-01 |
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