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Atomic Layer Deposition of Sb2Te3/GeTe Superlattice Film and Its Melt‐Quenching‐Free Phase‐Transition Mechanism for Phase‐Change Memory Sb2Te3/GeTe超晶格薄膜的原子层沉积及其用于相变存储的无熔融猝灭相变机制
相关领域
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期刊:Advanced Materials 作者:Chanyoung Yoo; Jeong Woo Jeon; Seungjae Yoon; Yan Cheng; Gyuseung Han; et al 出版日期:2022-11-03 |
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