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 Sub 5 Å-EOT HfₓZr1–x O₂ for Next-Generation DRAM Capacitors Using Morphotropic Phase Boundary and High-Pressure (200 atm) Annealing With Rapid Cooling Process 用于下一代DRAM电容器的Sub 5Å-EOT HF−Zr 1-x O₂，使用形态向相边界和高压（200 atm）退火和快速冷却工艺
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期刊：IEEE Transactions on Electron Devices 作者：Dipjyoti Das; Batzorig Buyantogtokh; V. Gaddam; Sanghun Jeon 出版日期：2021-12-20 |
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