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  Impact of Interface Trap Charges on Silicon Carbide (4H-SiC) Based Gate – Stack, Dual Metal, Surrounding Gate, FET (4H-SiC- GSDM-SGFET) for Analog and Noise Performance Analysis for 5 G/LTE Applications 界面陷阱电荷对基于碳化硅（4H-SiC）的栅极堆叠、双金属、环绕栅极、FET（4H-SiC-GSDM-SGFET）的影响，用于5 G/LTE应用的模拟和噪声性能分析
相关领域
材料科学
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跨导
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碳化硅
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期刊：ECS Journal of Solid State Science and Technology 作者：Neeraj Neeraj; Shobha Sharma; Anubha Goel; Sonam Rewari; S. S. Deswal; et al 出版日期：2024-07-01 |
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