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 First-principles study on the coexistence of different valence states of Zn vacancy, Cu1+/2+ doping, and Hi in ZnO magnetic switch ZnO磁开关中Zn空位、Cu1+/2+掺杂和Hi不同价态共存的第一性原理研究
相关领域
磁性
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空位缺陷
磁性半导体
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期刊：Materials Today Communications 作者：Hanye Zhang; Qingyu Hou; Cong Li 出版日期：2024-05-12 |
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