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  A Physical TCAD Mobility Model of Amorphous In-Ga-Zn-O (a-IGZO) Devices with Spatially Varying Mobility Edges, Band-Tails, and Enhanced Low-Temperature Convergence 具有空间变化迁移率边缘、能带尾和增强低温会聚的非晶In-Ga-Zn-O（a-IGZO）器件的物理TCAD迁移率模型
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期刊：Micromachines 作者：Mischa Thesberg; F. Schanovsky; Ying Zhao; M. Karner; Jose María González-Medina; et al 出版日期：2024-06-27 |
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