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  On the Understanding of pMOS NBTI Degradation in Advance Nodes: Characterization, Modeling, and Exploration on the Physical Origin of Defects 关于高级节点中pMOS NBTI退化的理解：缺陷物理起源的描述、建模和探索
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期刊：IEEE Transactions on Electron Devices 作者：Yongkang Xue; Pengpeng Ren; Junjie Wu; Zhu-You Liu; Shuying Wang; et al 出版日期：2023-08-01 |
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