Theoretical Analysis of ON-State Performance Limit of 4H-SiC IGBT in Field-Stop Technology

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标题	Theoretical Analysis of ON-State Performance Limit of 4H-SiC IGBT in Field-Stop Technology 场阻技术中4H-SiC IGBT导通性能极限的理论分析相关领域碳化硅绝缘栅双极晶体管材料科学硅二极管光电子学极限（数学）电压电压降电子工程工程物理电气工程工程类复合材料数学数学分析
网址	https://doi.org/10.1109/ted.2020.3033268
DOI	10.1109/ted.2020.3033268 doi
其它	期刊：IEEE Transactions on Electron Devices 作者：Peng Luo; E.M. Sankara Narayanan 出版日期：2020-11-05
求助人	车剑锋在 2025-06-10 18:37:11 发布自北京，悬赏 10 积分
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