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 A Theoretical Investigation of Orientation-Dependent Transport in Monolayer MoS<sub>2</sub> Transistors at the Ballistic Limit 单层MoS2晶体管弹道极限下取向相关输运的理论研究
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期刊：IEEE Electron Device Letters 作者：Fei Liu; Yijiao Wang; Xiaoyan Liu; Jian Wang; Hong Guo 出版日期：2015-08-24 |
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