2D Electron Gas‐Induced the Lowered Tunneling Barrier and Ohmic Behavior Simultaneously in 2D Metal‐Semiconductor Contacts

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标题	2D Electron Gas‐Induced the Lowered Tunneling Barrier and Ohmic Behavior Simultaneously in 2D Metal‐Semiconductor Contacts
网址	https://doi.org/10.1002/adfm.202513567
DOI	10.1002/adfm.202513567 doi
其它	期刊：Advanced Functional Materials 作者：Xianghong Niu; Zifan Niu; Wenchao Shan; Anqi Shi; Xinxin Wang; et al 出版日期：2025-09-03
求助人	CZhang 在 2026-09-17 21:13:05 发布自吉林，悬赏 10 积分
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