Electron mobility enhancement in strained-Si n-type metal-oxide-semiconductor field-effect transistors

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标题	Electron mobility enhancement in strained-Si n-type metal-oxide-semiconductor field-effect transistors
网址	http://xplorestaging.ieee.org/ielx1/55/7067/00285389.pdf?arn...
DOI	10.1109/55.285389 doi
其它	期刊：IEEE Electron Device Letters 作者：J. Welser; J. Hoyt; J. F. Gibbons 出版日期：1994-03-01
求助人	格格在 2026-08-26 19:08:42 发布自广东，悬赏 10 积分
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