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 Event‐Driven Neuroplasticity and Spiking Modulation in a Photoelectric Neuristor Configured by Threshold Switching Memristor and Optoelectronic Transistor 由阈值开关忆阻器和光电晶体管构成的光电神经电阻器中的事件驱动神经可塑性和尖峰调制
相关领域
材料科学
记忆电阻器
调制（音乐）
光电子学
神经形态工程学
晶体管
神经可塑性
事件（粒子物理）
光电效应
电压
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电气工程
人工神经网络
计算机科学
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期刊：Advanced Functional Materials 作者：Kuan‐Ting Chen; Pei‐Lin Lin; Ya‐Chi Huang; S. C. Chen; Zih‐Siao Liao; et al 出版日期：2024-09-05 |
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