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 Hydrogenated silicon nitride thin films deposited between 50 and 250 °C using nitrogen/silane mixtures with helium dilution 使用氮气/硅烷混合物和氦气稀释在50-250℃之间沉积氢化氮化硅薄膜
相关领域
硅烷
材料科学
氮化硅
分析化学（期刊）
薄膜
椭圆偏振法
化学气相沉积
硅
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化学工程
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期刊：Journal of Vacuum Science & Technology A Vacuum Surfaces and Films 作者：Tonya M. Klein; Timothy M. Anderson; Ashfaqul I. Chowdhury; Gregory N. Parsons 出版日期：1999-01-01 |
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