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![]() 了解单斜超宽带隙半导体β-Ga2O3在高应力下的位错和形变结构
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期刊:Microscopy and Microanalysis 作者:Andrew R Balog; Anuj Bisht; Jani Jesenovec; B. Dutton; John S. McCloy; et al 出版日期:2024-07-01 |
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