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 Tuning the analog synaptic properties of forming free SiO2 memristors by material engineering 通过材料工程调节形成游离SiO2忆阻器的模拟突触特性
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期刊：Applied Physics Letters 作者：Panagiotis Bousoulas; Dionisis Sakellaropoulos; Dimitris Tsoukalas 出版日期：2021-04-05 |
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