| 标题 |
 Maximizing power efficiency in GaN HEMTs: The role of ScAlN integration through n2DEG analytical modeling and 3D simulations 相关领域
跨导
材料科学
氮化镓
光电子学
击穿电压
氮化物
电压
阈值电压
晶体管
功率（物理）
钪
阈下传导
功率半导体器件
氮化硼
异质结
阈下摆动
电气工程
高压
铝
阈下斜率
电介质
分析化学（期刊）
铁电性
镓
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期刊：Micro and Nanostructures 作者：Dariskhem Pyngrope; Shubhankar Majumdar 出版日期：2026-07-01 |
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