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Dopant species with Al–Si and N–Si bonding in the MOCVD of AlN implementing trimethylaluminum, ammonia and silane |
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期刊:Journal of Physics D: Applied Physics 作者:R B dos Santos; R Rivelino; F de Brito Mota; G K Gueorguiev; A Kakanakova-Georgieva 出版日期:2015-06-29 |
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