Highly Selective Isotropic Etching of Si to SiGe Using CF4/O2/N2 Plasma for Advanced GAA Nanosheet Transistor

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标题	Highly Selective Isotropic Etching of Si to SiGe Using CF4/O2/N2 Plasma for Advanced GAA Nanosheet Transistor
网址	https://doi.org/10.3390/nano15191469
DOI	10.3390/nano15191469 doi
其它	期刊：Nanomaterials (Basel) 作者：Li J, Sun X, Huang Z, Zhang DW 出版日期：2025-09-25
求助人	王鑫在 2026-10-23 12:33:25 发布自江苏，悬赏 10 积分
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