| 标题 |
Lowering the Schottky barrier height by quasi-van der Waals contacts for high-performance p-type MoTe2 field-effect transistors 相关领域
材料科学
肖特基势垒
范德瓦尔斯力
接触电阻
半导体
场效应晶体管
光电子学
晶体管
肖特基二极管
半金属
纳米技术
硅
石墨烯
凝聚态物理
电气工程
图层(电子)
化学
二极管
物理
分子
有机化学
工程类
电压
|
| 网址 | |
| DOI | |
| 求助人 | |
| 下载 | 求助已完成,仅限求助人下载。 |
|
温馨提示:该文献已被科研通 学术中心 收录,前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库,收集文献的基本信息(如标题、摘要、期刊、作者、被引量等),不提供下载功能。如需下载文献全文,请通过文献求助获取。
|