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标题
Plateau Voltage and Dynamic Capacitance Effect on SiC MOSFETs’ Gate Ringing
平台电压和动态电容对SiC MOSFET栅极振铃的影响
相关领域
响铃 电容 材料科学 光电子学 高原（数学） MOSFET 碳化硅 电气工程 电压 电容器 栅极电压 电子工程 工程物理 工程类 物理 电极 晶体管 数学分析 冶金 滤波器（信号处理） 量子力学 数学
网址
https://doi.org/10.1109/ted.2024.3474617
DOI
10.1109/ted.2024.3474617 doi
其它 期刊：IEEE Transactions on Electron Devices
作者：Y. S. Lee; Hye-Min Kang
出版日期：2024-10-17
求助人
tib 在 2025-12-10 20:33:37 发布自海南，悬赏 10 积分
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