Plateau Voltage and Dynamic Capacitance Effect on SiC MOSFETs’ Gate Ringing

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作者
Y. S. Lee,Hye-Min Kang
出处
期刊:IEEE Transactions on Electron Devices [Institute of Electrical and Electronics Engineers]
卷期号:71 (12): 7666-7672 被引量:3
标识
DOI:10.1109/ted.2024.3474617
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