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 5 nm Gate Length Field-Effect Transistors Based on Monolayer α-In 2 X 3 (X = S, Se, Te) 相关领域
MOSFET
单层
场效应晶体管
阈下摆动
材料科学
半导体
阈下斜率
光电子学
晶体管
短通道效应
逻辑门
阈下传导
带隙
有效质量（弹簧-质量系统）
纳米技术
信道长度调制
排水诱导屏障降低
和大门
工程物理
极限（数学）
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| 其它 |
期刊：Physical Chemistry Chemical Physics 作者：Yun-Ya Zhong; Jian‐Qing Dai; Jin Yuan; Dawei Deng; Miao-Wei Zhao 出版日期：2025-01-01 |
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(2025-6-4)
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