Photoluminescence characterization of interlayer carrier injection from InGaAs quantum well to InGaAs surface quantum dots with respect to GaAs spacer thickness

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标题	Photoluminescence characterization of interlayer carrier injection from InGaAs quantum well to InGaAs surface quantum dots with respect to GaAs spacer thickness InGaAs量子阱向InGaAs表面量子点注入层间载流子的光致发光特性与GaAs间隔层厚度的关系相关领域光致发光量子阱材料科学量子隧道量子点光电子学润湿层光学物理激光器
网址	https://doi.org/10.1016/j.apsusc.2023.157876
DOI	10.1016/j.apsusc.2023.157876 doi
其它	期刊：Applied Surface Science 作者：Jianwen Liu; Hang Li; Xiaohui Liu; Ying Wang; Yukun Guo; et al 出版日期：2023-11-01
求助人	要减肥幻嫣在 2023-11-18 14:08:35 发布自陕西，悬赏 10 积分
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