| 标题 |
  Impact of Gate Metals/High-K Materials and Lateral Scaling on the Performance of AlN/GaN/AlGaN-MOSHEMT on SiC Wafer for Future Microwave Power Amplifiers in RADAR & Communication Systems 栅极金属/高K材料和横向缩放对SiC晶片上AlN/GaN/AlGaN-MOSHEMT性能的影响，用于雷达和通信系统中的未来微波功率放大器
相关领域
材料科学
微波食品加热
光电子学
放大器
雷达
薄脆饼
缩放比例
微波应用
高电子迁移率晶体管
功率（物理）
工程物理
电子工程
晶体管
电气工程
工程类
电信
CMOS芯片
物理
电压
电介质
量子力学
数学
几何学
|
| 网址 | |
| DOI | |
| 其它 |
期刊：Results in Engineering 作者：Gauri Deshpande; J. Ajayan; Sandip Bhattacharya; B. Mounika; Amit Krishna Dwivedi; et al 出版日期：2025-01-01 |
| 求助人 | |
| 下载 | 该求助完结已超 24 小时，文件已从服务器自动删除，无法下载。 |
|
温馨提示：该文献已被科研通 学术中心 收录，前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库，收集文献的基本信息（如标题、摘要、期刊、作者、被引量等），不提供下载功能。如需下载文献全文，请通过文献求助获取。
|
PDF的下载单位、IP信息已删除
(2025-6-4)
轨迹
无极微光
smottom
pluto
乐空思
科研狗
蓝天
嘿嘿
稳重的蛟凤
明亮尔蓝
殷勤的紫槐
iNk
Mic
干净广缘
核桃
寻道图强
yznfly
求助人员
Stella
专注的问寒
皖公网安备34019202002308
