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  Numerical Investigations of Nanowire Gate-All-Around Negative Capacitance GaAs/InN Tunnel FET 纳米线栅全负电容GaAs/InN隧道场效应晶体管的数值研究
相关领域
跨导
量子隧道
材料科学
光电子学
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纳米线
铁电性
隧道场效应晶体管
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电介质
异质结
晶体管
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电气工程
电压
场效应晶体管
工程类
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期刊：IEEE Access 作者：Abdullah Al Mamun Mazumder; Kamal Hosen; Md. Sherajul Islam; Jeongwon Park 出版日期：2022-01-01 |
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2025-08-04 14:33:04 发布，悬赏 10 积分
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