| 标题 |
 In-situ deposited HfO2 and Y2O3 on epi-Si/p-Ge—a comparative study of the interfacial properties and reliability 在epi-Si/p-Ge上原位沉积HfO2和Y2O3——界面性能和可靠性的比较研究
相关领域
材料科学
退火（玻璃）
分析化学（期刊）
热稳定性
外延
锗
硅
结晶学
图层（电子）
化学
光电子学
纳米技术
冶金
有机化学
色谱法
|
| 网址 | |
| DOI | |
| 其它 |
期刊：Japanese Journal of Applied Physics 作者：Tien-Yu Chu; Hsien-Wen Wan; Yi-Ting Cheng; C. K. Cheng; Yujie Hong; et al 出版日期：2022-02-04 |
| 求助人 |
荟萃分析
在
2025-08-05 04:47:45 发布，悬赏 10 积分
|
| 下载 | 暂无链接，等待应助者上传 |
|
温馨提示：该文献已被科研通 学术中心 收录，前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库，收集文献的基本信息（如标题、摘要、期刊、作者、被引量等），不提供下载功能。如需下载文献全文，请通过文献求助获取。
|
PDF的下载单位、IP信息已删除
鬼见愁
飲啖茶食個包
shiqiang mu
闪闪雁兰
COSMAO
herococa
YifanWang
钱小豪
MMMMM
周晏平
SYLH
EDSS
可千万不要躺平呀
guozizi
积极从蕾
xzy998
GingerF
vchen0621
小花排草
从容芮
皖公网安备34019202002308
