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 Investigation on the Dominant Threshold Voltage Drift Mechanism in SiC MOSFETs Under Hard-Switching Stress 相关领域
MOSFET
材料科学
压力（语言学）
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阈值电压
光电子学
碳化硅
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电子工程
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量子力学
语言学
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期刊：IEEE Transactions on Electron Devices 作者：Shaopeng Xue; Yan Zhang; Chunlin Lv; Yongfeng Ren; Jinjun Liu 出版日期：2025-01-01 |
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