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 Study on Negative Bias Temperature Instability Induced Degradation of P-Type FinFETs by Distinguishing Fin Top and Fin Sidewalls 通过区分翅片顶部和翅片侧壁研究负偏压温度不稳定性诱导的P型FinFETs退化
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期刊：ECS Journal of Solid State Science and Technology 作者：Wen‐Kuan Yeh; Liquan Yang; Cheng-Hao Shen; Jhih-Hao Kong; Po-Yang Tseng; et al 出版日期：2022-05-27 |
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