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 Investigation of anomalous positive bias temperature instability in GaN MIS-HEMTs with PEALD SiNx gate dielectrics 相关领域
材料科学
阈值电压
原子层沉积
光电子学
量子隧道
电介质
负偏压温度不稳定性
俘获
晶体管
栅极电介质
电子
泄漏（经济）
宽禁带半导体
活化能
离解（化学）
不稳定性
基质（水族馆）
凝聚态物理
深能级瞬态光谱
氢
电子迁移率
薄膜晶体管
偏压
普尔-弗伦克尔效应
化学气相沉积
氮化镓
高-κ电介质
图层（电子）
分子物理学
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期刊：Applied Physics Letters 作者：Kaiyu Wang; Mengdi Li; Sheng Zhang; Wei Ke; Jiejie Zhu; et al 出版日期：2025-11-10 |
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