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 Effect of O2 plasma surface treatment on gate leakage current in AlGaN/GaN HEMT 相关领域
高电子迁移率晶体管
物理
晶体管
量子力学
电压
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期刊：2023 International VLSI Symposium on Technology, Systems and Applications (VLSI-TSA/VLSI-DAT) 作者：An-Chen Liu; Yu-Wen Huang; Chao-Hsu Lin; Yi-Jun Dong; Yung-Yu Lai; et al 出版日期：2023 |
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