Triple-layered nc-Si:H films improve electrical properties and expand process window of IBC-SHJ solar cells simulated by Silvaco TCAD

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标题	Triple-layered nc-Si:H films improve electrical properties and expand process window of IBC-SHJ solar cells simulated by Silvaco TCAD 用Silvaco TCAD模拟三层nc-Si：H膜改善IBC-SHJ太阳电池的电学性能和扩展工艺窗口相关领域材料科学窗口（计算）光电子学计算机科学操作系统
网址	https://doi.org/10.1007/s40843-023-2610-y
DOI	10.1007/s40843-023-2610-y doi
其它	期刊：Science China. Materials 作者：Kai Jiang; Honghua Zhang; Liping Zhang; Fanying Meng; Yanfeng Gao; et al 出版日期：2023-10-31
求助人	混子王在 2024-02-28 14:41:38 发布自四川，悬赏 10 积分
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